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應(yīng)用

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行業(yè)應(yīng)用

高速光譜與成像技術(shù)的應(yīng)用（下）

時(shí)間分辨光譜與成像技術(shù)是現(xiàn)代科學(xué)研究中不可或缺的分析工具，它們通過捕捉物質(zhì)在時(shí)間維度上的動(dòng)態(tài)變化，為理解超快物理、化學(xué)和生物過程提供了獨(dú)特視角。瞬態(tài)時(shí)間分辨光學(xué)成像技術(shù)可為多次曝光和單次曝光兩種方式。一般情況下，多次曝光技術(shù)用于可以循環(huán)的超快過程，如飛秒化學(xué)用于液體中超快過程的研究。這些過程具有可重復(fù)性，通過多次曝光可以進(jìn)一步提高探測(cè)的靈敏度。如激光慣性約束聚變( Inertial confinement fusion，ICF)、磁約束聚變的內(nèi)爆測(cè)量、二維內(nèi)爆動(dòng)力學(xué)研究以及ICF靶丸對(duì)稱性等，這些不可重復(fù)的瞬態(tài)過程需要利用單次曝光的方式進(jìn)行測(cè)量。本文介紹一些時(shí)間分辨光譜與成像技術(shù)最新研究進(jìn)展及其在各領(lǐng)域的創(chuàng)新應(yīng)用，為相關(guān)領(lǐng)域的研究者提供相關(guān)的技術(shù)參考和應(yīng)用指導(dǎo)。
高速光學(xué)成像技術(shù)介紹（上）

超快現(xiàn)象能夠反映物理學(xué)、化學(xué)和生物學(xué)中許多重要的機(jī)制，很多自然科學(xué)特別是基礎(chǔ)科學(xué)研究中都需要對(duì)超快現(xiàn)象進(jìn)行觀測(cè), 如激光誘導(dǎo)損傷中的沖擊波,不可逆晶體化學(xué)反應(yīng), 生物組織中的光散射，熒光的激發(fā)，飛行光(Light in flight)，激光誘導(dǎo)等離子體等等。對(duì)這些超快過程進(jìn)行有效的觀測(cè)具有不可或缺的科學(xué)意義和實(shí)用價(jià)值。本文介紹幾種常用的高速光譜與成像技術(shù)及其相關(guān)應(yīng)用, 為您的研究提供參考。
用戶速遞丨西安交通大學(xué)Z箍縮及應(yīng)用研究中心：金屬絲短接的低阻抗桿箍縮二極管等離子體動(dòng)力學(xué)

近日，西安交通大學(xué)電氣工程學(xué)院Z箍縮及應(yīng)用研究中心團(tuán)隊(duì)在金屬絲短接的低阻抗桿箍縮二極管等離子體動(dòng)力學(xué)診斷方面取得進(jìn)展，研究成果以“Plasma dynamics of a wire-shorted rod-pinch diode for flash x-ray radiography”為題發(fā)表在國際期刊Physics of Plasmas上。西安交通大學(xué)電工材料電氣絕緣全國重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室為該論文第一單位，張沛洲博士研究生為第一作者，石桓通副教授為通訊作者。今天小卓為大家分享該研究成果，希望對(duì)您在等離子體診斷相關(guān)研究或工業(yè)應(yīng)用方面帶來一些靈感和啟發(fā)。
基于MoS2場(chǎng)效應(yīng)晶體管模擬人類的觸覺和視覺多感官行為

作者們開發(fā)了一種簡(jiǎn)單、直接且成本低廉的方法來創(chuàng)建一種觸覺和視覺的人工多感官集成神經(jīng)系統(tǒng)，通過連接壓阻器和石墨-MoS2-石墨（Gr-MoS-Gr）場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）。該系統(tǒng)不僅單獨(dú)通過壓力和光學(xué)刺激模擬突觸可塑性行為，而且在協(xié)同效應(yīng)的刺激下表現(xiàn)出比單一感官模擬時(shí)更強(qiáng)的感知能力。通過改變壓力的幅度、壓力的頻率和光信號(hào)的強(qiáng)度，模擬了平坦或粗糙的道路、行走或跑步的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)以及白天或夜間的外部照明環(huán)境。另外，通過結(jié)合上述刺激條件，設(shè)計(jì)并成功模擬了一系列可區(qū)分的日常生活場(chǎng)景，展示了該設(shè)備在多感官集成仿生系統(tǒng)中的應(yīng)用潛力。
通過選擇性激發(fā)區(qū)分的In0.52Al0.48As/InP中光致發(fā)光的界面特征

通過光致發(fā)光（PL）技術(shù)測(cè)量的InAlAs/InP的直接和反向異質(zhì)結(jié)構(gòu)的帶隙以下發(fā)光的研究，它們顯示出非常不同的光譜特性。950-1200納米光譜范圍內(nèi)的發(fā)光峰與界面有關(guān)，但原因相當(dāng)不同。直接界面顯示了一個(gè)低于帶隙的單一峰，源于界面電子與界面處混合型I-II勢(shì)阱中限制的空穴的復(fù)合。反向界面也受到這樣的勢(shì)阱的影響。此外，界面涉及更多的復(fù)雜性，包括來自缺陷和局部激子的發(fā)光。隨著激發(fā)強(qiáng)度的增加，反向異質(zhì)結(jié)構(gòu)的光譜線形演變意味著從局部激子的發(fā)光轉(zhuǎn)變?yōu)榻缑骐娮优c注入到量子阱中的空穴的復(fù)合。在低激發(fā)功率范圍內(nèi)，前者占主導(dǎo)地位，其中發(fā)光峰的大藍(lán)移歸因于與帶尾填充效應(yīng)相關(guān)的載流子局域化機(jī)制。